PLUTO-E100型科研型等離子體干法刻蝕（ICP/CCP）系統(tǒng)是一款低成本，適合于科研機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室的桌面型科研設(shè)備，整套系統(tǒng)的目的是在4寸以及以下的樣品上進(jìn)行干法刻蝕。該系統(tǒng)包括反應(yīng)腔室，真空系統(tǒng)，RF射頻系統(tǒng)，反應(yīng)氣路系統(tǒng)，電器控制，軟件程序等幾個(gè)子系統(tǒng)。

整套系統(tǒng)為全自動(dòng)化軟件控制，支持recipe編寫，支持多個(gè)工藝步驟自動(dòng)運(yùn)行的能力。設(shè)備設(shè)有互鎖，斷電記憶，自動(dòng)報(bào)警，分子泵保護(hù)等安全保護(hù)功能。為了保證設(shè)備的靈活性預(yù)留一定的升級(jí)空間。

科研型等離子體干法刻蝕（ICP/CCP）系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

1.反應(yīng)腔室：T6060鋁合金，適合4寸及以下樣品；

2.真空系統(tǒng)由分子泵以及機(jī)械泵組成，真空測(cè)量系統(tǒng)采用電容式壓力計(jì)；

3.設(shè)備配有1000w的13.56MHz的射頻電源，自動(dòng)射頻匹配器，以及射頻線纜以及專用射頻接頭；

4.配有4路反應(yīng)氣體，最多刻升級(jí)至6路；

5.ICP 等離子體刻蝕機(jī)整套系統(tǒng)為自動(dòng)化控制系統(tǒng)，該自動(dòng)化系統(tǒng)通過(guò)PLC、工控機(jī)以及控制軟件共同實(shí)現(xiàn)。

科研型等離子體干法刻蝕（ICP/CCP）系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域：

微電子制造‌：等離子刻蝕廣泛應(yīng)用于集成電路和芯片制造，用于制作電路中的細(xì)微結(jié)構(gòu)，如晶體管、電容器等，以及修復(fù)或調(diào)整芯片上的電子設(shè)備。

‌光學(xué)器件制造‌：等離子刻蝕技術(shù)可用于制造光學(xué)器件，如光纖、光波導(dǎo)等。通過(guò)控制等離子體的能量和密度，可以在光學(xué)材料上形成所需的結(jié)構(gòu)和形狀。

‌MEMS制造‌：等離子刻蝕機(jī)可用于制造微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）中的細(xì)微結(jié)構(gòu)和器件，例如微型傳感器、無(wú)線通信設(shè)備和微機(jī)械運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)等。

‌光罩制造‌：等離子刻蝕用于制造光罩上的圖案，以及修復(fù)或修改光罩上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。

‌生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用‌：等離子刻蝕可用于生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，如微流控芯片、生物芯片等的制造，實(shí)現(xiàn)微觀結(jié)構(gòu)的制備，用于生物分析和實(shí)驗(yàn)。

‌納米技術(shù)‌：等離子刻蝕可以用于制造納米材料和納米結(jié)構(gòu)，如納米管、納米顆粒等，通過(guò)控制等離子體的成分和反應(yīng)條件，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精確修飾和控制。

‌晶圓制造‌：在晶圓制造過(guò)程中，等離子刻蝕機(jī)利用四氟化碳?xì)怏w進(jìn)行硅片的線刻蝕，以及氮化硅刻蝕和光刻膠的去除。通過(guò)調(diào)整氣體成分，可以精確控制刻蝕深度，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)的高精度刻蝕。